Oferty pracy w projektach finansowanych przez NCN


Narodowe Centrum Nauki prezentuje bazę ogłoszeń o wolnych stanowiskach pracy przy projektach finansowanych przez Centrum. Narodowe Centrum Nauki nie ponosi odpowiedzialności za treść i wiarygodność przesyłanych ofert pracy.

Uprzejmie informujemy o nowych warunkach zatrudniania osób na stanowiska typu post-doc: limit czasu upływającego od uzyskania stopnia doktora dla aplikujących na te stanowiska kobiet może być przedłużony o 1,5 roku za każde urodzone bądź przysposobione dziecko.

Oferta pracy

Nazwa jednostki: Instytut Fizyki Polskiej Akademii NaukWarszawa, Inne oferty z tego miasta »
Nazwa stanowiska: stypendysta
Wymagania:

Profil kandydata na doktoranta/kę:
1. Posiada aktualne status doktoranta/tki lub jest studentem(-ką) II stopnia na kierunku fizyka i pokrewnych, preferowana specjalność – fizyka ciała stałego/fizyka półprzewodników/inżynieria nanostruktur.
2. Motywacja do pracy, umiejętność prowadzenia badań w ramach zajmowanego stanowiska (pracy doktorskiej), zarówno zleconych przez promotora, jak i wynikających z własnej inicjatywy.
3. Umiejętność pracy w zespole.
4. Dobra znajomość języka angielskiego w mowie i w piśmie.

Opis zadań:

Doktorant(ka)/stypendysta/(-stka) będzie uczestniczyć w realizacji projektu badawczego SONATA-BIS p.t.: „Defekty objętościowe i międzypowierzchniowe w strukturach i stopach półprzewodnikowych bazujących na ZnO”, finansowanego przez Narodowe Centrum Nauki (NCN). Celem projektu jest analiza aktywnych elektrycznie defektów zlokalizowanych w objętości bądź na międzypowierzchniach heterostruktur bazujących na ZnO (w tym złącz Schottky’ego). Do analizy wykorzystane zostaną techniki oparte o spektroskopię głębokich poziomów defektowych (DLTS), pomiary zmian prądu złącza pod wpływem pobudzenia optycznego (PICTS) wraz z cyfrową obróbką badanego sygnału metodą odwrotnej transformaty Laplace’a. Tego typu zaawansowane badania są szczególnie istotne z punktu widzenia zrozumienia właściwości elektrycznych opisywanych struktur pod kątem możliwości ich zastosowań we współczesnej optoelektronice (baterie słoneczne, wysokowydajne diody LED) oraz zaproponowania innowacyjnych rozwiązań pozwalających na przezwyciężenie obecnych ograniczeń w tej dziedzinie. Doktorant(ka) zatrudniony/(-na) w ramach projektu będzie odpowiedzialny/(-na) za wzrost cienkich warstw ZnO metodą osadzania warstw atomowych (ALD) oraz ich charakteryzację. Dodatkowo będzie prowadzić optyczne i elektrooptyczne badania struktur opartych o cienkie warstwy ZnO oraz uczestniczyć w analizie, interpretacji i upowszechnianiu otrzymanych wyników. Z tego powodu dotychczasowe doświadczenie w dziedzinie charakteryzacji elektrycznej półprzewodników (w tym również w przygotowywaniu kontaktów elektrycznych), umiejętność wzrostu cienkich warstw (w tym ZnO) i struktur cienkowarstwowych metodą ALD, a także umiejętność pracy w laboratorium chemicznym będą dodatkowym atutem kandydata. Stypendysta będzie zobligowany aplikować o przyjęcie do Warszawskiej Szkoły Doktorskiej Nauk Ścisłych i BioMedycznych [Warsaw-4-PhD] w Instytucie Fizyki PAN w roku 2020. Szczegółowe informacje można znaleźć pod adresem: http://www.ifpan.edu.pl/t_pl_szkola.html.

Typ konkursu NCN: SONATA BIS – ST
Termin składania ofert: 5 grudnia 2019, 00:00
Forma składania ofert: email
Warunki zatrudnienia:

Dyscyplina naukowa: Fizyka;
Specjalność: : Fizyka półprzewodników/fizyka ciała stałego;
Doświadczenie: Początkujący lub 0-4 lata (Post-graduate);
Profil naukowy wg EURAXESS (szczegóły): First Stage Researcher (R1);
Tryb zatrudnienia: Czas określony 34 miesiące;
Wynagrodzenie: 3000 PLN miesięcznie (nieopodatkowane stypendium).

Dodatkowe informacje:

Kontakt
Dodatkowych informacji udziela bezpośrednio kierownik projektu, dr Ramon Schifano (e-mail: schifano@ifpan.edu.pl, tel: +48-221163315 profil na ResearchGate pod adresem: https://www.researchgate.net/profile/R_Schifano);
Składanie dokumentów
Termin składania: 5 grudnia 2019 Zgłoszenia nadesłane po terminie mogą byćrozpatrywane do momentu obsadzenia stanowiska i usunięcia ogłoszenia ze strony internetowej Instytutu.
Wymagane dokumenty:
• Życiorys.
• Lista publikacji, prezentacji konferencyjnych i innych osiągnięć (jeśli kandydat(ka) posiada).
• List motywacyjny.
• Wykaz ocen z przebiegu studiów.
• Przynajmniej jeden kontakt referencyjny i/lub rekomendacja pisemna. W obu przypadkach proszę podać numery telefonów oraz adresy e-mailowe do osób kontaktowych.
•Zgoda na przetwarzanie danych osobowych.
Wszystkie dokumenty należy składać drogą elektroniczną na adres: jobs@ifpan.edu.pl, podając w temacie numer ID oferty.

Data dodania ogłoszenia: 2019-11-08 15:58:12

« wróć do ofert pracy